鐵電存儲技術是在1921年早被科學家提出，一直到1993年，美國Ramtron公司才成功開發(fā)出第yi個容量只有4Kb的鐵電存儲器產品。發(fā)展到了現(xiàn)在，如今市面上幾乎的鐵電存儲器產品都是由美國鐵電公司制造或授權制造。

鐵電存儲器在不需要電壓的情況下就可以保持數(shù)據(jù)，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那么鐵電存儲器是如何來實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的呢？這是利用了鐵電晶體的鐵電效應。什么是鐵電效應?鐵電效應是指，將一定的電場強度施加在鐵電晶體上時，晶體中心原子在電場力的作用下產生運動，并且達到一種穩(wěn)定的狀態(tài)；當電場從鐵電晶體移走后，中心原子依然會保持在原來的位置上。這是因為晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量的情況下不能越過高能階到達另一穩(wěn)定位置。

由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用沒有關聯(lián)，所以鐵電存儲器的內容不會受到外界條件（比如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣具有非易失性的存儲特性。鐵電存儲器速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在大寫入次數(shù)的問題；不過受到鐵電晶體特性的制約，鐵電存儲器仍有大訪問次數(shù)（也就是讀出次數(shù)）的限制。